창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR210TRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR210TRRPBF | |
관련 링크 | IRFR210, IRFR210TRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | EKMG630ELL470MF11D | 47µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | EKMG630ELL470MF11D.pdf | |
![]() | SMCJ11CA-13-F | TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMC | SMCJ11CA-13-F.pdf | |
![]() | C2012R-820K | C2012R-820K APIDelevan NA | C2012R-820K.pdf | |
![]() | VJ0805A121GXAMT | VJ0805A121GXAMT VISHAY SMD | VJ0805A121GXAMT.pdf | |
![]() | 1810-L110 | 1810-L110 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1810-L110.pdf | |
![]() | 74LVC2GU04DBVTG4 | 74LVC2GU04DBVTG4 TI SOT23-6 | 74LVC2GU04DBVTG4.pdf | |
![]() | LM4040D20IDCKRG4 | LM4040D20IDCKRG4 TI SOT353 | LM4040D20IDCKRG4.pdf | |
![]() | VJ1812A102JXEAT | VJ1812A102JXEAT VISHAYTRAMON SMD or Through Hole | VJ1812A102JXEAT.pdf | |
![]() | CS8900A-IQP | CS8900A-IQP CRYSTRL TQFP | CS8900A-IQP.pdf | |
![]() | SKKH57/16 | SKKH57/16 SEM SMD or Through Hole | SKKH57/16.pdf | |
![]() | SI7194DP | SI7194DP VISHAY QFN8 | SI7194DP.pdf | |
![]() | 40E-1C-5.5 | 40E-1C-5.5 Littelfuse SMD or Through Hole | 40E-1C-5.5.pdf |