창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR15N20DPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)15N20DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 910pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFR15N20DPBF SP001556894 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR15N20DPBF | |
관련 링크 | IRFR15N, IRFR15N20DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 107TTA025M | 100µF 25V Aluminum Capacitors Axial, Can 2.487 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 107TTA025M.pdf | |
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![]() | CRCW20106R65FKEF | RES SMD 6.65 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20106R65FKEF.pdf | |
![]() | RNF18FTC2K49 | RES 2.49K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTC2K49.pdf | |
![]() | CDEP105-2R5MC-50 | CDEP105-2R5MC-50 ORIGINAL SMD or Through Hole | CDEP105-2R5MC-50.pdf | |
![]() | IRF530STRL | IRF530STRL IR TO263 | IRF530STRL.pdf | |
![]() | CB1005GA600 | CB1005GA600 SAMWHA SMD or Through Hole | CB1005GA600.pdf | |
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![]() | NTH577AF | NTH577AF PULSE NA | NTH577AF.pdf | |
![]() | IRF260N/IR/ | IRF260N/IR/ IR TO-247 | IRF260N/IR/.pdf |