창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR1205PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR/U1205PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFR1205 Saber Model IRFR1205 Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001552040 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR1205PBF | |
| 관련 링크 | IRFR12, IRFR1205PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | P4KE43A-E3/54 | TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC AXIAL | P4KE43A-E3/54.pdf | |
![]() | SIT8008AI-73-18E-37.400000E | OSC XO 1.8V 37.4MHZ OE | SIT8008AI-73-18E-37.400000E.pdf | |
| 1N750A BK | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | 1N750A BK.pdf | ||
![]() | 767165192AP | RES NTWRK 28 RES MULT OHM 16SOIC | 767165192AP.pdf | |
![]() | MCR706RL | MCR706RL MOT TO252 | MCR706RL.pdf | |
![]() | CS419B | CS419B CS DIP-8 | CS419B.pdf | |
![]() | LM1458J/883C | LM1458J/883C NSC CDIP8 | LM1458J/883C.pdf | |
![]() | PHP82NQ03 | PHP82NQ03 PHI TO-220 | PHP82NQ03.pdf | |
![]() | CX06837 | CX06837 SOHY TQFP | CX06837.pdf | |
![]() | 2TA260SM | 2TA260SM ORIGINAL SMD | 2TA260SM.pdf | |
![]() | RP107Q302D-TR-F | RP107Q302D-TR-F RICOH SC-88A | RP107Q302D-TR-F.pdf |