창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR110PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR110, SiHRF110 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 2.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR110PBF | |
| 관련 링크 | IRFR11, IRFR110PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| SS11H-R10093-CH | 9.3mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 440 mOhm | SS11H-R10093-CH.pdf | ||
![]() | RT0805CRD07510RL | RES SMD 510 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07510RL.pdf | |
![]() | EXB-N8V112JX | RES ARRAY 4 RES 1.1K OHM 0804 | EXB-N8V112JX.pdf | |
![]() | MB87J2710RB-G | MB87J2710RB-G FUJITSU NA | MB87J2710RB-G.pdf | |
![]() | IS45S16160D-7TLA2 | IS45S16160D-7TLA2 ISSI SMD or Through Hole | IS45S16160D-7TLA2.pdf | |
![]() | 0805-866R | 0805-866R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805-866R.pdf | |
![]() | TC9307AF-008 | TC9307AF-008 TOSHIBA QFP44 | TC9307AF-008.pdf | |
![]() | BA31143 | BA31143 ROHM TSSOP16 | BA31143.pdf | |
![]() | UMJ-498-D14 | UMJ-498-D14 UMC SMD or Through Hole | UMJ-498-D14.pdf | |
![]() | R199005890 | R199005890 RADIALL SMD or Through Hole | R199005890.pdf | |
![]() | SLY-2016 | SLY-2016 SIEMENS DIP | SLY-2016.pdf |