창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR1010ZTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)1010ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR1010Z Saber Model IRFR1010Z Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 42A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2840pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001564960 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR1010ZTRLPBF | |
관련 링크 | IRFR1010Z, IRFR1010ZTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ASTMUPCFL-33-156.250MHZ-EY-E-T | 156.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCFL-33-156.250MHZ-EY-E-T.pdf | ||
CMF60220K00DHR6 | RES 220K OHM 1W 0.5% AXIAL | CMF60220K00DHR6.pdf | ||
CE3020N-18746-001 | CE3020N-18746-001 S DIP | CE3020N-18746-001.pdf | ||
BLW34 | BLW34 PH SOT | BLW34.pdf | ||
DF15A(4.2)-20DP-0.65V(56) | DF15A(4.2)-20DP-0.65V(56) HRS() SMD or Through Hole | DF15A(4.2)-20DP-0.65V(56).pdf | ||
L4A0220 | L4A0220 NS DIP | L4A0220.pdf | ||
LTC3851AIUD#PBF/AE | LTC3851AIUD#PBF/AE LT SMD or Through Hole | LTC3851AIUD#PBF/AE.pdf | ||
BD8621EFV--E2 | BD8621EFV--E2 ROHM SMD or Through Hole | BD8621EFV--E2.pdf | ||
K7N403609A-QC25 | K7N403609A-QC25 SAMSUNG QFP | K7N403609A-QC25.pdf | ||
S5534-A | S5534-A ON SOP8 | S5534-A.pdf |