창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR024PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_024 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR024PBF | |
| 관련 링크 | IRFR02, IRFR024PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D111JLCAR | 110pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111JLCAR.pdf | |
![]() | 3386S-1-502LF | 5k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386S-1-502LF.pdf | |
![]() | RL1220T-R051-J | RES SMD 0.051 OHM 5% 1/4W 0805 | RL1220T-R051-J.pdf | |
![]() | CPF0805B22KE | RES SMD 22K OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B22KE.pdf | |
![]() | CPR03100R0KE31 | RES 100 OHM 3W 10% RADIAL | CPR03100R0KE31.pdf | |
![]() | MCR03EZPEFX241 | MCR03EZPEFX241 NULL DO-15 | MCR03EZPEFX241.pdf | |
![]() | LM3S8930-IBZ50-A2 | LM3S8930-IBZ50-A2 TI 108-LFBGA | LM3S8930-IBZ50-A2.pdf | |
![]() | ERJ3EKF1503V | ERJ3EKF1503V PAN SMD or Through Hole | ERJ3EKF1503V.pdf | |
![]() | XC4085-6BG560C | XC4085-6BG560C XILINX PLCC | XC4085-6BG560C.pdf | |
![]() | A2U | A2U NO SMD or Through Hole | A2U.pdf | |
![]() | 37011600810 | 37011600810 ORIGINAL SMD or Through Hole | 37011600810.pdf |