창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR024PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_024 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR024PBF | |
| 관련 링크 | IRFR02, IRFR024PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1H6R5CD01D | 6.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H6R5CD01D.pdf | |
![]() | S1FLM-GS18 | DIODE SW 1000V DO-219AB | S1FLM-GS18.pdf | |
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![]() | NPC-1210-001G-1-S | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.23mm) Tube 0 mV ~ 75 mV 8-DIP Module | NPC-1210-001G-1-S.pdf | |
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![]() | V300A12C400 | V300A12C400 VICOR SMD or Through Hole | V300A12C400.pdf | |
![]() | DFLT36A | DFLT36A DIODES POWERDI 123 | DFLT36A.pdf | |
![]() | C65N2P/1A | C65N2P/1A ORIGINAL C65N2P1A | C65N2P/1A.pdf | |
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![]() | CV0J151MCZANG | CV0J151MCZANG SANYO SMD | CV0J151MCZANG.pdf |