창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR014TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR014, IRFU014 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 4.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRFR014PBFTR IRFR014PBFTR-ND IRFR014TRPBF-ND IRFR014TRPBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR014TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR014, IRFR014TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | NR6020T4R7N | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 2A 69.6 mOhm Max Nonstandard | NR6020T4R7N.pdf | |
![]() | Y0785300R000V9L | RES 300 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y0785300R000V9L.pdf | |
![]() | PP11-2-30.0A-XX | PP11-2-30.0A-XX AIRPAX SMD or Through Hole | PP11-2-30.0A-XX.pdf | |
![]() | PMB2707F | PMB2707F ORIGINAL OFP-100 | PMB2707F.pdf | |
![]() | TMPN3150B1AFGI | TMPN3150B1AFGI TOSHIBA QFP64 | TMPN3150B1AFGI.pdf | |
![]() | IRGB35B60PD | IRGB35B60PD IR/ SMD or Through Hole | IRGB35B60PD.pdf | |
![]() | 9-0215079-0 | 9-0215079-0 tyc SMD or Through Hole | 9-0215079-0.pdf | |
![]() | 93LC56BT-E/OT | 93LC56BT-E/OT MICROCHIP SOT23-6 | 93LC56BT-E/OT.pdf | |
![]() | S50D35C | S50D35C MOSPEC TO-3P | S50D35C.pdf |