창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR010PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR010, SiHFR010 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 4.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | *IRFR010PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR010PBF | |
| 관련 링크 | IRFR01, IRFR010PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RN73C2A549RBTG | RES SMD 549 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A549RBTG.pdf | |
| RSMF1JT750R | RES METAL OX 1W 750 OHM 5% AXL | RSMF1JT750R.pdf | ||
![]() | CMF557K6900BHBF | RES 7.69K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF557K6900BHBF.pdf | |
![]() | 16ST8522(M) | 16ST8522(M) BOTHHAND SOP16 | 16ST8522(M).pdf | |
![]() | ESM243-300R | ESM243-300R ST NA | ESM243-300R.pdf | |
![]() | SK025M0330A5-1012 | SK025M0330A5-1012 TEAPO SMD or Through Hole | SK025M0330A5-1012.pdf | |
![]() | R80C186XL16 | R80C186XL16 INTEL LCC | R80C186XL16.pdf | |
![]() | M30627FJPWG U3C | M30627FJPWG U3C RENESAS SMD or Through Hole | M30627FJPWG U3C.pdf | |
![]() | DI-4702-2 | DI-4702-2 HARRAS CDIP16 | DI-4702-2.pdf | |
![]() | LMC7111BIM5X-NOPB (LEADFREE) | LMC7111BIM5X-NOPB (LEADFREE) NEC SMD or Through Hole | LMC7111BIM5X-NOPB (LEADFREE).pdf | |
![]() | MAX351EPE+ | MAX351EPE+ MAXIM DIP16 | MAX351EPE+.pdf |