창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFPS3815PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFPS3815PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFPS3815PBF Saber Model IRFPS3815PBF Spice Model | |
| PCN 설계/사양 | Pkg Outline Chg 04/Jan/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 105A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 63A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 390nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6810pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 441W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-274AA | |
| 공급 장치 패키지 | SUPER-247(TO-274AA) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFPS3815PBF SP001556840 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFPS3815PBF | |
| 관련 링크 | IRFPS38, IRFPS3815PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BFC241777504 | 0.75µF Film Capacitor 63V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | BFC241777504.pdf | |
![]() | AT1206DRD0790R9L | RES SMD 90.9 OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD0790R9L.pdf | |
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![]() | GRM188R61E1 | GRM188R61E1 MURATA SMD or Through Hole | GRM188R61E1.pdf | |
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![]() | CYT6168-2.8V | CYT6168-2.8V CYT SOT89 | CYT6168-2.8V.pdf | |
![]() | FHC(0.75) | FHC(0.75) NO QFN-32 | FHC(0.75).pdf | |
![]() | MN8610 | MN8610 ORIGINAL DIP | MN8610.pdf | |
![]() | BC51E130A08-ES-IYH-E | BC51E130A08-ES-IYH-E CSR BCM | BC51E130A08-ES-IYH-E.pdf | |
![]() | C320C200J1G5TA | C320C200J1G5TA KEMET DIP | C320C200J1G5TA.pdf | |
![]() | DCG15F | DCG15F NA SMD or Through Hole | DCG15F.pdf |