창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFPS37N50APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFPS37N50A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compounds 25/Feb/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5579pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 446W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-274AA | |
| 공급 장치 패키지 | SUPER-247(TO-274AA) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFPS37N50APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFPS37N50APBF | |
| 관련 링크 | IRFPS37N, IRFPS37N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | 9C08000012 | 8MHz ±10ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C08000012.pdf | |
![]() | K7L-UD | LEAK DETECT 400M WIRE STATUS | K7L-UD.pdf | |
![]() | HB1A688M25040 | HB1A688M25040 SAMWHA SMD or Through Hole | HB1A688M25040.pdf | |
![]() | TCL-A14V02-TO | TCL-A14V02-TO TOSHIBA DIP42 | TCL-A14V02-TO.pdf | |
![]() | FA106/107 V1 | FA106/107 V1 HARRIS PLCC(REEL) | FA106/107 V1.pdf | |
![]() | AD8625BR | AD8625BR ADI SOP8 | AD8625BR.pdf | |
![]() | BAV99-LF | BAV99-LF FRONTI SMD or Through Hole | BAV99-LF.pdf | |
![]() | M5L8279 | M5L8279 N/A DIP | M5L8279.pdf | |
![]() | ST45PE80VG | ST45PE80VG ST SOP8 | ST45PE80VG.pdf | |
![]() | SAFEH881MFN0F00 | SAFEH881MFN0F00 Murata SMD | SAFEH881MFN0F00.pdf | |
![]() | SG615PTJC380000MHZ | SG615PTJC380000MHZ EPS NA | SG615PTJC380000MHZ.pdf |