창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFPF50PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFPF50 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFPF50PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFPF50PBF | |
| 관련 링크 | IRFPF5, IRFPF50PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | AISC-1008F-3R9J-T | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 2 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008F-3R9J-T.pdf | |
![]() | MN102H57KJG | MN102H57KJG PANASONIC QFP84 | MN102H57KJG.pdf | |
![]() | YC8D28T2R5MS | YC8D28T2R5MS YC SMD | YC8D28T2R5MS.pdf | |
![]() | TB28F800BV-B90 | TB28F800BV-B90 INTEL SOP44 | TB28F800BV-B90.pdf | |
![]() | 7816-0000PR | 7816-0000PR M SMD or Through Hole | 7816-0000PR.pdf | |
![]() | SC11041CV | SC11041CV N/A PLCC | SC11041CV.pdf | |
![]() | SD3B | SD3B ORIGINAL SMD or Through Hole | SD3B.pdf | |
![]() | PS4530CWP | PS4530CWP Pericom SOP20 | PS4530CWP.pdf | |
![]() | M5L82C53P-5 | M5L82C53P-5 MIT DIP | M5L82C53P-5.pdf | |
![]() | HB2-DC12V/12V | HB2-DC12V/12V NAIS SMD or Through Hole | HB2-DC12V/12V.pdf |