창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFPC50APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFPC50A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 580m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFPC50APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFPC50APBF | |
| 관련 링크 | IRFPC5, IRFPC50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BDS2A2501R5J | RES CHAS MNT 1.5 OHM 5% 250W | BDS2A2501R5J.pdf | |
![]() | VF70BHTL50000MHZ | VF70BHTL50000MHZ japan SMD or Through Hole | VF70BHTL50000MHZ.pdf | |
![]() | LM126AH/883Q | LM126AH/883Q NS CAN | LM126AH/883Q.pdf | |
![]() | M50561-021P | M50561-021P SAMSUNG DIP-20 | M50561-021P.pdf | |
![]() | LT30337CS8 | LT30337CS8 LINEAR SMD | LT30337CS8.pdf | |
![]() | 2SC5683 | 2SC5683 Sayou TO-3P | 2SC5683.pdf | |
![]() | DBF81F104-CSR-T | DBF81F104-CSR-T SOSHIN SMD | DBF81F104-CSR-T.pdf | |
![]() | AP34063NL | AP34063NL ORIGINAL DIP-8 | AP34063NL.pdf | |
![]() | B82462-G4682-M | B82462-G4682-M EPCOS SMD | B82462-G4682-M.pdf | |
![]() | TG110-E | TG110-E HALO SMD or Through Hole | TG110-E.pdf | |
![]() | NJM2100C | NJM2100C JRC SIP | NJM2100C.pdf | |
![]() | 2SK3390XI01UB | 2SK3390XI01UB RENESAS SOT | 2SK3390XI01UB.pdf |