창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP90N20DPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP90N20DPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFP90N20DPBF Saber Model IRFP90N20DPBF Spice Model | |
| PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 94A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 56A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6040pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 580W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFP90N20DPBF SP001552070 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP90N20DPBF | |
| 관련 링크 | IRFP90N, IRFP90N20DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SI4838DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC | SI4838DY-T1-E3.pdf | |
![]() | S1210R-391G | 390nH Shielded Inductor 692mA 400 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-391G.pdf | |
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![]() | DEA1X3A100JA1B | DEA1X3A100JA1B MURATA SMD or Through Hole | DEA1X3A100JA1B.pdf | |
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