창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP90N20DPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP90N20DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFP90N20DPBF Saber Model IRFP90N20DPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 94A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 56A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6040pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 580W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | *IRFP90N20DPBF SP001552070 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP90N20DPBF | |
관련 링크 | IRFP90N, IRFP90N20DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C1608CH1V183J080AC | 0.018µF 35V 세라믹 커패시터 CH 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608CH1V183J080AC.pdf | |
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![]() | ERJ-L14UJ98MU | RES SMD 0.098 OHM 5% 1/3W 1210 | ERJ-L14UJ98MU.pdf | |
![]() | AMS1117ASJ-2.5 | AMS1117ASJ-2.5 AMS SOT223 | AMS1117ASJ-2.5.pdf | |
![]() | A640PN | A640PN GE MODULE | A640PN.pdf | |
![]() | 302R29N120JV4E | 302R29N120JV4E Johanson SMD | 302R29N120JV4E.pdf | |
![]() | MSM514400AL-70J | MSM514400AL-70J OKI SOJ | MSM514400AL-70J.pdf | |
![]() | LS356B1 | LS356B1 ST DIP | LS356B1.pdf | |
![]() | SZ3010S | SZ3010S Silan SMD | SZ3010S.pdf | |
![]() | 2AK1 | 2AK1 SUNMATE DO-7 | 2AK1.pdf | |
![]() | 327175 | 327175 TYCO SMD or Through Hole | 327175.pdf |