창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP7530PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP7530PbF | |
| 주요제품 | 60 V StrongIRFET Power MOSFETs | |
| PCN 설계/사양 | Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 411nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13703pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 341W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001560520 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP7530PBF | |
| 관련 링크 | IRFP75, IRFP7530PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R4BXPAP | 1.4pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R4BXPAP.pdf | |
![]() | MMBZ5227BS-7-F | DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT363 | MMBZ5227BS-7-F.pdf | |
![]() | AT0603DRE0722KL | RES SMD 22K OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE0722KL.pdf | |
![]() | RCWE1210R392FKEA | RES SMD 0.392 OHM 1% 1W 1210 | RCWE1210R392FKEA.pdf | |
![]() | CP00051R200KE663 | RES 1.2 OHM 5W 10% AXIAL | CP00051R200KE663.pdf | |
![]() | AD664E | AD664E AD LLCC | AD664E.pdf | |
![]() | 2SK1088 | 2SK1088 FUJI TO-220 | 2SK1088.pdf | |
![]() | LA6358NMLL-K-TE | LA6358NMLL-K-TE SANYO SOP8 | LA6358NMLL-K-TE.pdf | |
![]() | CF62623 | CF62623 TMS PLCC68 | CF62623.pdf | |
![]() | 24351I | 24351I LINEAR SMD or Through Hole | 24351I.pdf | |
![]() | TLP597GB | TLP597GB TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP597GB.pdf | |
![]() | SN54S289BJ | SN54S289BJ TI CDIP16 | SN54S289BJ.pdf |