창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP4668PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP4668PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFP4668PBF Saber Model IRFP4668PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.7m옴 @ 81A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 241nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10720pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | AUXSNFP4668 AUXSNFP4668-ND SP001572854 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP4668PBF | |
관련 링크 | IRFP46, IRFP4668PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UPJ0J272MHD1TO | 2700µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ0J272MHD1TO.pdf | ||
SAB8253-5D1 | SAB8253-5D1 INTEL DIP | SAB8253-5D1.pdf | ||
MA3051L-X(TX) | MA3051L-X(TX) Pan SMD or Through Hole | MA3051L-X(TX).pdf | ||
AD2C111-L-V | AD2C111-L-V SSOUSA SOP | AD2C111-L-V.pdf | ||
HSP31-4R7M | HSP31-4R7M ORIGINAL SMD | HSP31-4R7M.pdf | ||
SMT4212G 02 | SMT4212G 02 SUMMIT SOP | SMT4212G 02.pdf | ||
74HC1G04GV TEL:82766440 | 74HC1G04GV TEL:82766440 NXP SOT153 | 74HC1G04GV TEL:82766440.pdf | ||
KS05L4 | KS05L4 SeCoS SMD or Through Hole | KS05L4.pdf | ||
LDS3985M50R. | LDS3985M50R. ST SOT23-5 | LDS3985M50R..pdf | ||
P13022CR2D | P13022CR2D TI TSOP14 | P13022CR2D.pdf | ||
NXG880 | NXG880 NEKG SMD or Through Hole | NXG880.pdf |