창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP450APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP450A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-003-2014-Rev-0 14/Feb/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2038pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFP450APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP450APBF | |
| 관련 링크 | IRFP45, IRFP450APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D0R6BXCAC | 0.60pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R6BXCAC.pdf | |
![]() | 74ALVCH16374TX | 74ALVCH16374TX FAIRCHILD SMD or Through Hole | 74ALVCH16374TX.pdf | |
![]() | MC-5537 | MC-5537 ORIGINAL ZIP12 | MC-5537.pdf | |
![]() | DO5040H-682MLD | DO5040H-682MLD COILCRAFT SMD or Through Hole | DO5040H-682MLD.pdf | |
![]() | M52758EP | M52758EP MIT SSOP36 | M52758EP.pdf | |
![]() | 658AN-1400BHJ | 658AN-1400BHJ TOKO SMD or Through Hole | 658AN-1400BHJ.pdf | |
![]() | GX22W122Y | GX22W122Y HITACHI SMD or Through Hole | GX22W122Y.pdf | |
![]() | LQH3N1R0M04M00 | LQH3N1R0M04M00 MURATA SMD or Through Hole | LQH3N1R0M04M00.pdf | |
![]() | 1935336 | 1935336 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1935336.pdf |