Infineon Technologies IRFP4229PBF

IRFP4229PBF
제조업체 부품 번호
IRFP4229PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
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내부 부품 번호EIS-IRFP4229PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFP4229PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 설계/사양Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)250V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C44A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs46m옴 @ 26A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs110nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4560pF @ 25V
전력 - 최대310W
작동 온도-40°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247AC
표준 포장 25
다른 이름SP001578046
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRFP4229PBF
관련 링크IRFP42, IRFP4229PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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