창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP3415PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP3415PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | *IRFP3415PBF SP001566972 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP3415PBF | |
관련 링크 | IRFP34, IRFP3415PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SMCJ9.0CA-E3/9AT | TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMC | SMCJ9.0CA-E3/9AT.pdf | |
![]() | Y00751K49000T219L | RES 1.49K OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y00751K49000T219L.pdf | |
![]() | EPC8Q100C | EPC8Q100C ALTERA QFP | EPC8Q100C.pdf | |
![]() | IRF640SEC.F | IRF640SEC.F IR TO220 | IRF640SEC.F.pdf | |
![]() | CKC683KMABNC | CKC683KMABNC ORIGINAL SMD or Through Hole | CKC683KMABNC.pdf | |
![]() | R76UN1120DQ00K | R76UN1120DQ00K ARCOTRONICS DIP | R76UN1120DQ00K.pdf | |
![]() | AOU437 | AOU437 AOS TO-251 | AOU437.pdf | |
![]() | WG50SAD9JL-342 | WG50SAD9JL-342 AIRBORN NA | WG50SAD9JL-342.pdf | |
![]() | KS57C5016X-L4 | KS57C5016X-L4 SAMSUNG QFP | KS57C5016X-L4.pdf | |
![]() | GZ3216U601-T | GZ3216U601-T SUNL SMD | GZ3216U601-T.pdf | |
![]() | AC20M | AC20M TI SMD or Through Hole | AC20M.pdf |