창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP32N50KPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP32N50K | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 설계/사양 | SIL-0612014-Rev-0 04/Apr/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5280pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 460W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFP32N50KPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP32N50KPBF | |
| 관련 링크 | IRFP32N, IRFP32N50KPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 0233004.MXF11P | FUSE GLASS 4A 125VAC 5X20MM | 0233004.MXF11P.pdf | |
![]() | RT2512BKE076K65L | RES SMD 6.65K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE076K65L.pdf | |
![]() | CMF5513K665BEEB | RES 13.665K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5513K665BEEB.pdf | |
![]() | KB80521EX200 SL254 256K | KB80521EX200 SL254 256K INTEL PGA | KB80521EX200 SL254 256K.pdf | |
![]() | XC145481DW | XC145481DW MIT SSOP | XC145481DW.pdf | |
![]() | EC261752D-4N-1 | EC261752D-4N-1 PROVIGENT BGA | EC261752D-4N-1.pdf | |
![]() | FSDA6V1SC6 | FSDA6V1SC6 ST SOP | FSDA6V1SC6.pdf | |
![]() | AD9623AR | AD9623AR AD SMD or Through Hole | AD9623AR.pdf | |
![]() | CS6567AMT | CS6567AMT CY SMD or Through Hole | CS6567AMT.pdf | |
![]() | BCV26/DG/B2 | BCV26/DG/B2 NXP SOT23 | BCV26/DG/B2.pdf | |
![]() | MAX708SD(ANDX 2.93 | MAX708SD(ANDX 2.93 PHILIPS SOP8 | MAX708SD(ANDX 2.93.pdf | |
![]() | RM337012 | RM337012 ORIGINAL DIP | RM337012.pdf |