창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP3077PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP3077PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Qualification Wafer Source 01/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9400pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 340W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001566982 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP3077PBF | |
관련 링크 | IRFP30, IRFP3077PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UCY2G120MPD1TD | 12µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCY2G120MPD1TD.pdf | ||
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![]() | 8RHT2R2M | 8RHT2R2M TOK SMD or Through Hole | 8RHT2R2M.pdf | |
![]() | XC5VTX240T-2FFG1759CES | XC5VTX240T-2FFG1759CES XILINX 2FFG1759CES | XC5VTX240T-2FFG1759CES.pdf | |
![]() | LT2940IMS#TRPBF | LT2940IMS#TRPBF LT TSSOP12 | LT2940IMS#TRPBF.pdf | |
![]() | 145738009784859+ | 145738009784859+ AVX SMD or Through Hole | 145738009784859+.pdf | |
![]() | 18092 | 18092 AD SMD or Through Hole | 18092.pdf | |
![]() | QDSJ-G001 | QDSJ-G001 hp DIP | QDSJ-G001.pdf | |
![]() | P80C32X2BA512 | P80C32X2BA512 NXP 44PLCC | P80C32X2BA512.pdf | |
![]() | PBL3860 | PBL3860 PBL PLCC | PBL3860.pdf |