창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP23N50LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP23N50L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 370W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFP23N50LPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP23N50LPBF | |
| 관련 링크 | IRFP23N, IRFP23N50LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BFC247955393 | 0.039µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC247955393.pdf | |
![]() | RT1206CRC07909RL | RES SMD 909 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC07909RL.pdf | |
![]() | CPR05R5600JE14 | RES 0.56 OHM 5W 5% RADIAL | CPR05R5600JE14.pdf | |
![]() | R4016 | R4016 PHILIPS QFN | R4016.pdf | |
![]() | TC07VOA | TC07VOA TC SMD-8 | TC07VOA.pdf | |
![]() | VRS0603MR55R201N | VRS0603MR55R201N YAGEO SMD or Through Hole | VRS0603MR55R201N.pdf | |
![]() | 20138-2 | 20138-2 D/C DIP | 20138-2.pdf | |
![]() | S80L186EC16 | S80L186EC16 INTEL QFP100 | S80L186EC16.pdf | |
![]() | 4DP101-501 | 4DP101-501 JPS DIP-16 | 4DP101-501.pdf | |
![]() | SNJ2664 | SNJ2664 INTERFET SOT-23 | SNJ2664.pdf | |
![]() | EP2AGZ300F35C3N | EP2AGZ300F35C3N ALTERA BGA | EP2AGZ300F35C3N.pdf | |
![]() | AT43301-10SU | AT43301-10SU ATMEL SMD or Through Hole | AT43301-10SU.pdf |