창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP23N50LPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP23N50L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 370W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | *IRFP23N50LPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP23N50LPBF | |
관련 링크 | IRFP23N, IRFP23N50LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
AOCJY4A-26.000MHZ-E | 26MHz CMOS OCXO Oscillator Through Hole 5V | AOCJY4A-26.000MHZ-E.pdf | ||
RT0805CRB071K1L | RES SMD 1.1K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB071K1L.pdf | ||
MCU08050D1181BP100 | RES SMD 1.18K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D1181BP100.pdf | ||
5536149-5 | 5536149-5 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 5536149-5.pdf | ||
CAT140089SWI-GT3 | CAT140089SWI-GT3 CATALYST SOP8 | CAT140089SWI-GT3.pdf | ||
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M27128-20F6 | M27128-20F6 ST DIPLCC | M27128-20F6.pdf | ||
ES1BT/B | ES1BT/B PANJIT DO-214AC | ES1BT/B.pdf | ||
SGM8632XMS/TR | SGM8632XMS/TR SGM MSOP-8 | SGM8632XMS/TR.pdf | ||
24WC02P1 | 24WC02P1 CSI DIP | 24WC02P1.pdf | ||
LM6132AIMTR | LM6132AIMTR NS SMD or Through Hole | LM6132AIMTR.pdf |