창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP22N50APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP22N50A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-003-2014-Rev-0 14/Feb/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 277W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFP22N50APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP22N50APBF | |
| 관련 링크 | IRFP22N, IRFP22N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | Y144229K3170T0L | RES 29.317KOHM 1/2W 0.01% RADIAL | Y144229K3170T0L.pdf | |
![]() | FRU250-30F | FRU250-30F FUZETEC DIP | FRU250-30F.pdf | |
![]() | CY28442XC | CY28442XC ORIGINAL CCXH | CY28442XC.pdf | |
![]() | GBPC2504 _B0 _10001 | GBPC2504 _B0 _10001 PANJIT SMD or Through Hole | GBPC2504 _B0 _10001.pdf | |
![]() | AD7517TQ/883 | AD7517TQ/883 AD DIP | AD7517TQ/883.pdf | |
![]() | ADG619BRM-REEL | ADG619BRM-REEL ADI SMD or Through Hole | ADG619BRM-REEL.pdf | |
![]() | TCS11SLU | TCS11SLU TOSHIBA UFV | TCS11SLU.pdf | |
![]() | SLF1045T-220M-N | SLF1045T-220M-N ORIGINAL SMD or Through Hole | SLF1045T-220M-N.pdf | |
![]() | ROS-1215-119+ | ROS-1215-119+ MINI SMD or Through Hole | ROS-1215-119+.pdf | |
![]() | CDRH5D18-6R8NC | CDRH5D18-6R8NC SUMIDA 5D18 | CDRH5D18-6R8NC.pdf | |
![]() | IRFH7936 | IRFH7936 IR SMD or Through Hole | IRFH7936.pdf |