창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP22N50APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP22N50A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-003-2014-Rev-0 14/Feb/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 277W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFP22N50APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP22N50APBF | |
| 관련 링크 | IRFP22N, IRFP22N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | EEE-FC1C471P | 470µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EEE-FC1C471P.pdf | |
![]() | RH108AW | RH108AW LINEAR N A | RH108AW.pdf | |
![]() | SLF12575T-150M4R7-R | SLF12575T-150M4R7-R TDK 12MMK5 | SLF12575T-150M4R7-R.pdf | |
![]() | MIC | MIC ORIGINAL SMD or Through Hole | MIC.pdf | |
![]() | 32F8002 | 32F8002 TDK SOP16 | 32F8002.pdf | |
![]() | MP10010NMK-01 | MP10010NMK-01 Lantronix SMD or Through Hole | MP10010NMK-01.pdf | |
![]() | CSTCW20M00X01-T | CSTCW20M00X01-T ORIGINAL SMD or Through Hole | CSTCW20M00X01-T.pdf | |
![]() | PE-63385NL | PE-63385NL PULSE SMD or Through Hole | PE-63385NL.pdf | |
![]() | DN801 | DN801 ORIGINAL DIP | DN801.pdf | |
![]() | LT3973HDD#TRPBF | LT3973HDD#TRPBF LT DFN | LT3973HDD#TRPBF.pdf | |
![]() | LM324AN/NOPB(NS) | LM324AN/NOPB(NS) NULL NULL | LM324AN/NOPB(NS).pdf |