창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP21N60LPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP21N60L,SIHFP21N60L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | *IRFP21N60LPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP21N60LPBF | |
관련 링크 | IRFP21N, IRFP21N60LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | T86C475M035EBSS | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C475M035EBSS.pdf | |
![]() | MBR60100 | DIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5 | MBR60100.pdf | |
![]() | CMF55309K00DHR6 | RES 309K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55309K00DHR6.pdf | |
![]() | SQMR718KJ | RES 18.0K OHM 7W 5% RADIAL | SQMR718KJ.pdf | |
![]() | CA0001R3000JS73 | RES 0.3 OHM 1W 5% AXIAL | CA0001R3000JS73.pdf | |
![]() | 2002GTDK | 2002GTDK ORIGINAL VCO | 2002GTDK.pdf | |
![]() | ESMM451VSN820MP25S | ESMM451VSN820MP25S NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | ESMM451VSN820MP25S.pdf | |
![]() | TLP531(Y.F) | TLP531(Y.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP531(Y.F).pdf | |
![]() | AR212A1R0D4R | AR212A1R0D4R AVX DIP | AR212A1R0D4R.pdf | |
![]() | INB1489A | INB1489A ORIGINAL DIP-14 | INB1489A.pdf |