창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP21N60LPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP21N60L,SIHFP21N60L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | *IRFP21N60LPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP21N60LPBF | |
관련 링크 | IRFP21N, IRFP21N60LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
G6B-1174P-1-US DC5 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 5VDC Coil Through Hole | G6B-1174P-1-US DC5.pdf | ||
Y1447200K000B9L | RES 200K OHM 2W 0.1% RADIAL | Y1447200K000B9L.pdf | ||
CYD-T8-600-8W | CYD-T8-600-8W CESTA SMD or Through Hole | CYD-T8-600-8W.pdf | ||
RT344018F | RT344018F ORIGINAL DIP | RT344018F.pdf | ||
SI4496DY-T1-GE3 | SI4496DY-T1-GE3 VISHAY SOP-8 | SI4496DY-T1-GE3.pdf | ||
M628032-20E1TR | M628032-20E1TR ST SMD | M628032-20E1TR.pdf | ||
TC74AC157F-EL | TC74AC157F-EL SOP TOSHIBA | TC74AC157F-EL.pdf | ||
AP4800 | AP4800 APEC SMD or Through Hole | AP4800.pdf | ||
70V9099L9PF8 | 70V9099L9PF8 IDT SMD or Through Hole | 70V9099L9PF8.pdf | ||
HB2-12V/DC12V | HB2-12V/DC12V NAIS SMD or Through Hole | HB2-12V/DC12V.pdf | ||
HP-9258R | HP-9258R ORIGINAL SMD or Through Hole | HP-9258R.pdf | ||
SN84151N | SN84151N TI DIP-16 | SN84151N.pdf |