창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP048PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP048 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 44A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFP048PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP048PBF | |
| 관련 링크 | IRFP04, IRFP048PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C1206C822K5RACTU | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C822K5RACTU.pdf | |
![]() | BK/MDA-3 | FUSE CERAMIC 3A 250VAC 3AB 3AG | BK/MDA-3.pdf | |
![]() | PESD5Z5.0F | TVS DIODE 5VWM 18VC SC-79 | PESD5Z5.0F.pdf | |
![]() | G6B2114PUS5DC | G6B2114PUS5DC OMRON SMD or Through Hole | G6B2114PUS5DC.pdf | |
![]() | TPS72525KTT | TPS72525KTT TI TO263 | TPS72525KTT.pdf | |
![]() | RCPCGAPBVB0 | RCPCGAPBVB0 INTEL BGA356 | RCPCGAPBVB0.pdf | |
![]() | 600L2R7DT200T | 600L2R7DT200T ATC SMD | 600L2R7DT200T.pdf | |
![]() | EPF10K100EBC356-3N | EPF10K100EBC356-3N ORIGINAL SMD or Through Hole | EPF10K100EBC356-3N.pdf | |
![]() | PI6CX100-35W | PI6CX100-35W PERICOM SOP8 | PI6CX100-35W.pdf | |
![]() | 400MXC180M30X30 | 400MXC180M30X30 Rubycon DIP | 400MXC180M30X30.pdf | |
![]() | XQV8000-4FF1152C | XQV8000-4FF1152C ORIGINAL BGA | XQV8000-4FF1152C.pdf | |
![]() | CG7411AM | CG7411AM CYPRESS CSP | CG7411AM.pdf |