창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP048NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP048NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFP048N Saber Model IRFP048N Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 37A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 89nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | *IRFP048NPBF SP001567000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP048NPBF | |
관련 링크 | IRFP04, IRFP048NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | Y1691V0043VV9L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y1691V0043VV9L.pdf | |
![]() | 3309P-1-502LF | 3309P-1-502LF BOURNS DIP | 3309P-1-502LF.pdf | |
![]() | NSF03B60 | NSF03B60 Nihon SMC | NSF03B60.pdf | |
![]() | 0603N560J500LT | 0603N560J500LT ORIGINAL SMD | 0603N560J500LT.pdf | |
![]() | NLNSE5256-DSJ-166 | NLNSE5256-DSJ-166 ORIGINAL BGA | NLNSE5256-DSJ-166.pdf | |
![]() | 75ALS161 | 75ALS161 TI SOP20 | 75ALS161.pdf | |
![]() | SA16A/CA | SA16A/CA VISHAY SMD or Through Hole | SA16A/CA.pdf | |
![]() | UT9435 | UT9435 UTC SOT-89 | UT9435.pdf | |
![]() | 1MB15-060 | 1MB15-060 FUJI IGBT | 1MB15-060.pdf | |
![]() | S43B | S43B GS DO-214AA | S43B.pdf | |
![]() | CC502B104K-RC | CC502B104K-RC XICON SMD | CC502B104K-RC.pdf | |
![]() | XC4010EPG191 | XC4010EPG191 XIL PGA | XC4010EPG191.pdf |