Infineon Technologies IRFL4105TRPBF

IRFL4105TRPBF
제조업체 부품 번호
IRFL4105TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
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내부 부품 번호EIS-IRFL4105TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFL4105PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRFL4105TR Saber Model
IRFL4105TR Spice Model
PCN 설계/사양SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013
SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs45m옴 @ 3.7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs35nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds660pF @ 25V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223
표준 포장 2,500
다른 이름IRFL4105TRPBF-ND
IRFL4105TRPBFTR
SP001551996
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFL4105TRPBF
관련 링크IRFL410, IRFL4105TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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