창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFL4105PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFL4105PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFL4105TR Saber Model IRFL4105TR Spice Model | |
PCN 설계/사양 | SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013 SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 3.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 80 | |
다른 이름 | *IRFL4105PBF SP001554918 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFL4105PBF | |
관련 링크 | IRFL41, IRFL4105PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
EEF-SX0E221R | 220µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 9 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EEF-SX0E221R.pdf | ||
ELF-22V030A | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3A DCR 85 mOhm (Typ) | ELF-22V030A.pdf | ||
HVR3700007874FR500 | RES 7.87M OHM 1/2W 1% AXIAL | HVR3700007874FR500.pdf | ||
CPCC1075R00KE66 | RES 75 OHM 10W 10% RADIAL | CPCC1075R00KE66.pdf | ||
BCW25 | BCW25 ORIGINAL CAN6 | BCW25.pdf | ||
PJSMS05C | PJSMS05C PANJIT SOT23-6L | PJSMS05C.pdf | ||
PRF1503 | PRF1503 MOT SMD or Through Hole | PRF1503.pdf | ||
NSP-4-4-01 | NSP-4-4-01 RICHCO SMD or Through Hole | NSP-4-4-01.pdf | ||
7MBR25VM120-50 | 7MBR25VM120-50 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR25VM120-50.pdf |