창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFL110TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFL110 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 설계/사양 | Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 900mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IRFL110PBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFL110TRPBF | |
관련 링크 | IRFL110, IRFL110TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ0402D3R9BLAAJ | 3.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R9BLAAJ.pdf | ||
DHSF44D601ZDXB | 600pF 20000V(20kV) 세라믹 커패시터 Z5U 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 0.945" Dia(24.00mm) | DHSF44D601ZDXB.pdf | ||
MCA12060D7680BP100 | RES SMD 768 OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D7680BP100.pdf | ||
AD7008APZ20 | AD7008APZ20 AD PLCC44 | AD7008APZ20.pdf | ||
SML10Y4H-TR | SML10Y4H-TR ORIGINAL ROHS | SML10Y4H-TR.pdf | ||
HHF3.6V10A | HHF3.6V10A SHINDENG SMD or Through Hole | HHF3.6V10A.pdf | ||
TLC5945RHBT | TLC5945RHBT TI QFN | TLC5945RHBT.pdf | ||
0603YG154ZATN | 0603YG154ZATN AVX SMD or Through Hole | 0603YG154ZATN.pdf | ||
LTE-302DG | LTE-302DG ORIGINAL SMD or Through Hole | LTE-302DG.pdf | ||
SMD-AD232JR | SMD-AD232JR ORIGINAL SMD or Through Hole | SMD-AD232JR.pdf | ||
02SSL20-T | 02SSL20-T RECTRON SOD-123F | 02SSL20-T.pdf |