Infineon Technologies IRFL024ZPBF

IRFL024ZPBF
제조업체 부품 번호
IRFL024ZPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
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내부 부품 번호EIS-IRFL024ZPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFL024ZPbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRFL024Z Saber Model
IRFL024Z Spice Model
PCN 설계/사양SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013
SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.1A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs57.5m옴 @ 3.1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds340pF @ 25V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223
표준 포장 80
다른 이름*IRFL024ZPBF
SP001554888
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFL024ZPBF
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