창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFL024NTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFL024NPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013 SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 2.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IRFL024NTRPBF-ND IRFL024NTRPBFTR SP001575806 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFL024NTRPBF | |
| 관련 링크 | IRFL024, IRFL024NTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 805F500 | RES CHAS MNT 500 OHM 1% 5W | 805F500.pdf | |
![]() | CW01085R00JE733 | RES 85 OHM 13W 5% AXIAL | CW01085R00JE733.pdf | |
![]() | Y578724K9000B0L | RES 24.9K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y578724K9000B0L.pdf | |
![]() | AD08G50391 | AD08G50391 AD DIP8 | AD08G50391.pdf | |
![]() | T221DSE/SO | T221DSE/SO ORIGINAL TSSOP20 | T221DSE/SO.pdf | |
![]() | HD74LVC16245ATEL | HD74LVC16245ATEL HIT TSSOP | HD74LVC16245ATEL.pdf | |
![]() | LMX08 | LMX08 FSC TSSOP-14 | LMX08.pdf | |
![]() | 336M10BK0200 | 336M10BK0200 AVX SMD or Through Hole | 336M10BK0200.pdf | |
![]() | PPC750L-BG400A2 | PPC750L-BG400A2 IBM BGA | PPC750L-BG400A2.pdf | |
![]() | LMX2531LQ1742 NOPB | LMX2531LQ1742 NOPB NSC SMD or Through Hole | LMX2531LQ1742 NOPB.pdf |