창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFIZ24NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFIZ24NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Additional Assembly Site 23/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 7.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 29W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFIZ24NPBF SP001556656 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFIZ24NPBF | |
관련 링크 | IRFIZ2, IRFIZ24NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ACPL-5161 | 2.5A Gate Driver Optical Coupling 1500VDC 1 Channel 16-DIP | ACPL-5161.pdf | ||
P51-1500-A-F-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1500-A-F-I36-4.5OVP-000-000.pdf | ||
HU31C153MCZWPEC | HU31C153MCZWPEC HITACHI SMD or Through Hole | HU31C153MCZWPEC.pdf | ||
QS32244 | QS32244 IRC SOP | QS32244.pdf | ||
WD150AN97V1 | WD150AN97V1 ORIGINAL DIP | WD150AN97V1.pdf | ||
SIS692 | SIS692 SIS BGA | SIS692.pdf | ||
1000R-TR | 1000R-TR LUCENT PLCC | 1000R-TR.pdf | ||
FD8813NZ | FD8813NZ FSC SOP-8 | FD8813NZ.pdf | ||
V1A051000 | V1A051000 COSMO SMD or Through Hole | V1A051000.pdf | ||
150QD13 | 150QD13 TOSHIBA SMD or Through Hole | 150QD13.pdf | ||
MIC811SEUS-T | MIC811SEUS-T MIC SOT143 | MIC811SEUS-T.pdf |