창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFIBE20GPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFIBE20G | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5옴 @ 840mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFIBE20GPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFIBE20GPBF | |
| 관련 링크 | IRFIBE2, IRFIBE20GPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | DFLT7V0A-7 | TVS DIODE 7VWM 12VC POWERDI123 | DFLT7V0A-7.pdf | |
![]() | SMV1705-074LF | SMV1705-074LF Son/Skyworks SC-70-3 | SMV1705-074LF.pdf | |
![]() | D3501AR | D3501AR SONY SMD or Through Hole | D3501AR.pdf | |
![]() | H1P6013CB | H1P6013CB HARRIS SOP | H1P6013CB.pdf | |
![]() | TM6912S/FS | TM6912S/FS TMOS So-8 | TM6912S/FS.pdf | |
![]() | RT0805BR0764R9L | RT0805BR0764R9L YAGEO SMD | RT0805BR0764R9L.pdf | |
![]() | K0305019 | K0305019 ORIGINAL DIP | K0305019.pdf | |
![]() | 766081201G | 766081201G ORIGINAL SOP | 766081201G.pdf | |
![]() | pic12f629-i-md | pic12f629-i-md microchip SMD or Through Hole | pic12f629-i-md.pdf | |
![]() | 1012-909-308G | 1012-909-308G ORIGINAL DIP28 | 1012-909-308G.pdf | |
![]() | PZU9.1B1A,115 | PZU9.1B1A,115 NXP SOD323 | PZU9.1B1A,115.pdf | |
![]() | V30 Z6-A291 | V30 Z6-A291 SIE QFP-144 | V30 Z6-A291.pdf |