창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFIB7N50APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFIB7N50A,SiHFIB7N50A | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1423pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFIB7N50APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFIB7N50APBF | |
관련 링크 | IRFIB7N, IRFIB7N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SR151A331FAA | 330pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151A331FAA.pdf | ||
GBB-7-R | FUSE CERM 7A 250VAC 125VDC 3AB | GBB-7-R.pdf | ||
SIT8008BI-13-18E-24.000000E | OSC XO 1.8V 24MHZ | SIT8008BI-13-18E-24.000000E.pdf | ||
2979469 | I/O Module Rack 8 Channel | 2979469.pdf | ||
A1202TS | A1202TS ORIGINAL SMD | A1202TS.pdf | ||
ENFVK192S15 | ENFVK192S15 PANASONIC SMD or Through Hole | ENFVK192S15.pdf | ||
LVC23002 | LVC23002 SANYO DIP | LVC23002.pdf | ||
SFH610A-5X016 | SFH610A-5X016 VISHAY DIP-4 | SFH610A-5X016.pdf | ||
SFW9234 | SFW9234 FAIRCHILD TO-263 | SFW9234.pdf | ||
MJE13002 TO-126 | MJE13002 TO-126 CJ SMD or Through Hole | MJE13002 TO-126.pdf | ||
NRB0J106MR8 | NRB0J106MR8 NEC SMD or Through Hole | NRB0J106MR8.pdf | ||
TN8515C-RevA0 | TN8515C-RevA0 BOTHHAND SOPDIP | TN8515C-RevA0.pdf |