창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFIB6N60APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFIB6N60A,SiHFIB6N60A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFIB6N60APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFIB6N60APBF | |
| 관련 링크 | IRFIB6N, IRFIB6N60APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 06031C123JAT2A | 0.012µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031C123JAT2A.pdf | |
![]() | FXO-HC730-83 | 83MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC730-83.pdf | |
![]() | RT0603CRE0756KL | RES SMD 56K OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE0756KL.pdf | |
![]() | RCP0505W33R0JEB | RES SMD 33 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W33R0JEB.pdf | |
![]() | 510050300 | 510050300 ORIGINAL SMD or Through Hole | 510050300.pdf | |
![]() | A2C00041471 | A2C00041471 st QFP | A2C00041471.pdf | |
![]() | HMK316B7154ML-T | HMK316B7154ML-T TAIYO SMD | HMK316B7154ML-T.pdf | |
![]() | M-2512M3830JBTS | M-2512M3830JBTS ORIGINAL SMD or Through Hole | M-2512M3830JBTS.pdf | |
![]() | CN2220K20GK2 | CN2220K20GK2 EPCOS SMD | CN2220K20GK2.pdf | |
![]() | GK1U1VP | GK1U1VP N/A BGA | GK1U1VP.pdf |