창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFIB6N60APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFIB6N60A,SiHFIB6N60A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFIB6N60APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFIB6N60APBF | |
| 관련 링크 | IRFIB6N, IRFIB6N60APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-H12303RHV | 0.03µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.374" W (23.00mm x 9.50mm) | ECW-H12303RHV.pdf | |
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![]() | IOR5803D2TRPBF | IOR5803D2TRPBF IOR SMD | IOR5803D2TRPBF.pdf | |
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![]() | MC10E116FN. | MC10E116FN. ONsemi PLCC-28 | MC10E116FN..pdf | |
![]() | CJ=AA | CJ=AA ORIGINAL QFN | CJ=AA.pdf | |
![]() | NAND128W3AOAN6GA01Q8Y | NAND128W3AOAN6GA01Q8Y ST TSOP | NAND128W3AOAN6GA01Q8Y.pdf | |
![]() | 106M 10AS | 106M 10AS ORIGINAL SMD or Through Hole | 106M 10AS.pdf | |
![]() | VL82C331 | VL82C331 VLSI IC | VL82C331.pdf | |
![]() | M88W8310A7-BAN | M88W8310A7-BAN MARVELL SMD or Through Hole | M88W8310A7-BAN.pdf | |
![]() | UFM202-W | UFM202-W RECTRON DO-214AA | UFM202-W.pdf | |
![]() | SE1A476M05005PC480 | SE1A476M05005PC480 SAMWHA SMD or Through Hole | SE1A476M05005PC480.pdf |