창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFI840GLCPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFI840GLC | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 2.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFI840GLCPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFI840GLCPBF | |
관련 링크 | IRFI840, IRFI840GLCPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AI-32-25E-100.0000Y | OSC XO 2.5V 100MHZ OE | SIT8008AI-32-25E-100.0000Y.pdf | |
![]() | 1N4151WS-HE3-08 | DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323 | 1N4151WS-HE3-08.pdf | |
![]() | 02M | 02M ORIGINAL MSOP8 | 02M.pdf | |
![]() | 2SD756A | 2SD756A PHI TO-92L | 2SD756A.pdf | |
![]() | 62.33.8.012 | 62.33.8.012 ORIGINAL DIP-SOP | 62.33.8.012.pdf | |
![]() | ST2100C30R3L | ST2100C30R3L IR module | ST2100C30R3L.pdf | |
![]() | QMC002 | QMC002 QMC SSOP | QMC002.pdf | |
![]() | l-59gr/1gyc | l-59gr/1gyc ORIGINAL SMD or Through Hole | l-59gr/1gyc.pdf | |
![]() | SFE10.7MS3GH | SFE10.7MS3GH muRata DIP-2P | SFE10.7MS3GH.pdf | |
![]() | YGD-90W | YGD-90W ORIGINAL SMD or Through Hole | YGD-90W.pdf | |
![]() | HVD326C | HVD326C RENESAS SOD723 | HVD326C.pdf |