창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFI820GPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFI820G | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFI820GPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFI820GPBF | |
| 관련 링크 | IRFI82, IRFI820GPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D470MLBAJ | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D470MLBAJ.pdf | |
![]() | TPSV157K016R0045 | 150µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2924 (7361 Metric) 45 mOhm 0.287" L x 0.240" W (7.30mm x 6.10mm) | TPSV157K016R0045.pdf | |
![]() | Y1169200R000T9R | RES SMD 200OHM 0.01% 0.6W J LEAD | Y1169200R000T9R.pdf | |
![]() | C3979A | C3979A ORIGINAL TO-220F | C3979A.pdf | |
![]() | C416C-3 | C416C-3 NEC DIP | C416C-3.pdf | |
![]() | TA8731P | TA8731P TOSHIBA DIP | TA8731P.pdf | |
![]() | LT3012EFEPBF | LT3012EFEPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT3012EFEPBF.pdf | |
![]() | WL453226N-100M | WL453226N-100M MEC SMD | WL453226N-100M.pdf | |
![]() | 91R85807G02/9185807G02 | 91R85807G02/9185807G02 N/A SMD | 91R85807G02/9185807G02.pdf |