창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFHM9391TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFHM9391TRPBF | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 15/Oct/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.6m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1543pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRFHM9391TRPBF-ND IRFHM9391TRPBFTR SP001570882 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFHM9391TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFHM939, IRFHM9391TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RR1220P-1331-D-M | RES SMD 1.33KOHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-1331-D-M.pdf | |
![]() | CRCW251227K0FKEG | RES SMD 27K OHM 1% 1W 2512 | CRCW251227K0FKEG.pdf | |
![]() | G1209S-2W | G1209S-2W MORNSUN SIP | G1209S-2W.pdf | |
![]() | TC35083 | TC35083 ORIGINAL SSOP | TC35083.pdf | |
![]() | BCX53-16 E6327 | BCX53-16 E6327 INFINEON SOT89 | BCX53-16 E6327.pdf | |
![]() | SDA9489XGEG | SDA9489XGEG MICRONAS SMD-28 | SDA9489XGEG.pdf | |
![]() | 554561259 | 554561259 molex SMD | 554561259.pdf | |
![]() | LM2901N/NOPB | LM2901N/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM2901N/NOPB.pdf | |
![]() | SKL0104D | SKL0104D SEMIKRON SMD or Through Hole | SKL0104D.pdf | |
![]() | LT3835#PBF | LT3835#PBF LT QFN20 | LT3835#PBF.pdf | |
![]() | DAC72BM | DAC72BM N/A DIP | DAC72BM.pdf |