Infineon Technologies IRFHM830DTRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFHM830DTRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRFHM830DTRPBF 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 653.83725
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRFHM830DTRPBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRFHM830DTRPBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRFHM830DTRPBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRFHM830DTRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFHM830DTRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFHM830DTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFHM830DPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRFHM830DTR2PBF Saber Model IRFHM830DTR2PBF Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
| PCN 설계/사양 | Gate Wire Size Update 16/Dec/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 10/Jul/2014 Assembly Site Retraction 01/Jul/2015 Assembly Site Revision 2 01/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1797pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-VQFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | PQFN(3x3) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | SP001554840 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFHM830DTRPBF | |
| 관련 링크 | IRFHM830, IRFHM830DTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRFHM830DTRPBF 의 관련 제품
-5.jpg) | CL05C680JB5NNND | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C680JB5NNND.pdf | |
 | FA18C0G1H122JNU06 | 1200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA18C0G1H122JNU06.pdf | |
 | VJ0805D120KLCAJ | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D120KLCAJ.pdf | |
 | VJ1825A682KBEAT4X | 6800pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A682KBEAT4X.pdf | |
 | SC63LCB-680 | 68µH Shielded Inductor 920mA 338 mOhm Max Nonstandard | SC63LCB-680.pdf | |
| 2SC1398-Q | 2SC1398-Q PANASONIC TO-220 | 2SC1398-Q.pdf | |
| MX25L4005AM2C-12 | MX25L4005AM2C-12 Mxic SOP-8 | MX25L4005AM2C-12.pdf | |
| R1131N111A-TR-F | R1131N111A-TR-F RICOH SOT-23-5 | R1131N111A-TR-F.pdf | |
| SA53B | SA53B FUJI SMD or Through Hole | SA53B.pdf | |
| W－QTD－X | W－QTD－X ORIGINAL SMD or Through Hole | W－QTD－X.pdf | |
| BZX55C6V8TAP | BZX55C6V8TAP vishay INSTOCKPACK10000 | BZX55C6V8TAP.pdf | |
| HY5118160BSLJC-80 | HY5118160BSLJC-80 HY SOP-42 | HY5118160BSLJC-80.pdf |