Infineon Technologies IRFHM830DTRPBF

IRFHM830DTRPBF
제조업체 부품 번호
IRFHM830DTRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
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내부 부품 번호EIS-IRFHM830DTRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFHM830DPbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRFHM830DTR2PBF Saber Model
IRFHM830DTR2PBF Spice Model
PCN 단종/ EOLMulti Mosfet EOL 2/Mar/2016
PCN 설계/사양Gate Wire Size Update 16/Dec/2014
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Additional Assembly Site 10/Jul/2014
Assembly Site Retraction 01/Jul/2015
Assembly Site Revision 2 01/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황생산 종료
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A(Ta), 40A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.3m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs27nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1797pF @ 25V
전력 - 최대2.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-VQFN 노출형 패드
공급 장치 패키지PQFN(3x3)
표준 포장 4,000
다른 이름SP001554840
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRFHM830DTRPBF
관련 링크IRFHM830, IRFHM830DTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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