Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF
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- 제조업 자
- Infineon Technologies
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- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
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IRFHE4250DTRPBF 가격 및 조달
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8550 조각
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IRFHE4250DTRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFHE4250DTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFHE4250DTRPbF | |
| 주요제품 | FastIRFET™ IRFHE4250DPbF MOSFETs | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | FASTIRFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 86A, 303A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.75m옴 @ 27A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 35µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1735pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 32-PowerWFQFN | |
| 공급 장치 패키지 | 32-PQFN(6x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IRFHE4250DTRPBF-ND IRFHE4250DTRPBFTR SP001564116 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFHE4250DTRPBF | |
| 관련 링크 | IRFHE4250, IRFHE4250DTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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