창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFH8318TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFH8318PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
| 설계 리소스 | IRFH8318TR2PBF Saber Model IRFH8318TR2PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Assembly Site PQFN Devices 14/Nov/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Ta), 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3180pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 3.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRFH8318TRPBFTR SP001572710 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFH8318TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFH831, IRFH8318TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C3216X7R1H155M160AB | 1.5µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R1H155M160AB.pdf | |
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![]() | 3386P-103 | 3386P-103 ORIGINAL SOP DIP | 3386P-103.pdf | |
![]() | GD65232DBR * | GD65232DBR * TIS Call | GD65232DBR *.pdf | |
![]() | MAX4420ESA | MAX4420ESA MAXIM SOP8 | MAX4420ESA.pdf | |
![]() | LEMC3225T220K | LEMC3225T220K TAIYO SMD or Through Hole | LEMC3225T220K.pdf | |
![]() | XYA | XYA TI MSOP10 | XYA.pdf | |
![]() | SN7412J | SN7412J TI DIP | SN7412J.pdf | |
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