창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH7911TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFH7911PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Fab Site Addition 18/Sep/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A, 28A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.6m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1060pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.4W, 3.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 18-전력VQFN | |
공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001577920 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFH7911TRPBF | |
관련 링크 | IRFH791, IRFH7911TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
80714000440 | FUSE BOARD MOUNT 4A 300VAC RAD | 80714000440.pdf | ||
AB308-14.31818MHZ | 14.31818MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | AB308-14.31818MHZ.pdf | ||
SIT1602BC-81-33E-27.000000T | OSC XO 3.3V 27MHZ OE | SIT1602BC-81-33E-27.000000T.pdf | ||
744762327A | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 195mA 2.6 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | 744762327A.pdf | ||
RC0603DR-07383KL | RES SMD 383K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-07383KL.pdf | ||
RN73C2A7R87BTG | RES SMD 7.87 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A7R87BTG.pdf | ||
2SC3327-B | 2SC3327-B ORIGINAL TO-92S | 2SC3327-B.pdf | ||
83017013A | 83017013A LANSDALE MIL | 83017013A.pdf | ||
CR0138 | CR0138 CR DIP-16 | CR0138.pdf | ||
4*6/10MH | 4*6/10MH ORIGINAL SMD or Through Hole | 4*6/10MH.pdf | ||
SC1106CV | SC1106CV SIERRA PLCC | SC1106CV.pdf |