창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH7185TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFH7185PbF | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | FASTIRFET™, HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.6V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2320pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFH7185TRPBFTR SP001566602 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFH7185TRPBF | |
관련 링크 | IRFH718, IRFH7185TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | GRM21BR71H104JA01L | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BR71H104JA01L.pdf | |
![]() | C1206X102K2RACTU | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206X102K2RACTU.pdf | |
![]() | 1956024-7 | V23092-S1060-A201 | 1956024-7.pdf | |
![]() | RCL121863R4FKEK | RES SMD 63.4 OHM 1W 1812 WIDE | RCL121863R4FKEK.pdf | |
![]() | RC0402JR-07 5R1L | RC0402JR-07 5R1L YAGEO SMD or Through Hole | RC0402JR-07 5R1L.pdf | |
![]() | STL3842-A1 | STL3842-A1 SENTELIC QFP-48 | STL3842-A1.pdf | |
![]() | MC33765PPZQ | MC33765PPZQ MOTOROLA SMD or Through Hole | MC33765PPZQ.pdf | |
![]() | 1000V431 | 1000V431 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1000V431.pdf | |
![]() | RJ3-400V2R2MG3 | RJ3-400V2R2MG3 ELNA DIP | RJ3-400V2R2MG3.pdf | |
![]() | MDC25-12/16/24 | MDC25-12/16/24 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDC25-12/16/24.pdf | |
![]() | HFW8R-1STE9LF | HFW8R-1STE9LF FCIELX SMD or Through Hole | HFW8R-1STE9LF.pdf |