창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH7085TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFH7085TRPbF | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6460pF @ 25V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFH7085TRPBFTR SP001560390 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFH7085TRPBF | |
관련 링크 | IRFH708, IRFH7085TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
GRM1555C2A8R3DA01D | 8.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A8R3DA01D.pdf | ||
SA102A160JAA | 16pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102A160JAA.pdf | ||
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SF56D/SP | SF56D/SP ORIGINAL SMD or Through Hole | SF56D/SP.pdf | ||
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JG0-0032NL | JG0-0032NL Pulse SOPDIP | JG0-0032NL.pdf | ||
IC61C1024-25J | IC61C1024-25J ICSI SOJ | IC61C1024-25J.pdf | ||
IPS511S. | IPS511S. IR TO263-5L | IPS511S..pdf | ||
N74F244D,602 | N74F244D,602 NXP SMD or Through Hole | N74F244D,602.pdf |