창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFH7085TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFH7085TRPbF | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | StrongIRFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6460pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRFH7085TRPBFTR SP001560390 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFH7085TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFH708, IRFH7085TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D301KXXAJ | 300pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D301KXXAJ.pdf | |
![]() | SCHJ22.5K | DIODE GEN PURP 22.5KV 50MA AXIAL | SCHJ22.5K.pdf | |
![]() | CMF55931R00DHEA | RES 931 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55931R00DHEA.pdf | |
![]() | L4853LD | L4853LD NSC QFN-14 | L4853LD.pdf | |
![]() | B82477P4682M000 | B82477P4682M000 EPCOS SMD or Through Hole | B82477P4682M000.pdf | |
![]() | EUA2794 | EUA2794 EUTECH QFN | EUA2794.pdf | |
![]() | BC847ATR | BC847ATR INFINEON NA | BC847ATR.pdf | |
![]() | 9508083 | 9508083 MOLEX SMD or Through Hole | 9508083.pdf | |
![]() | 893D225X050DTE3 | 893D225X050DTE3 VISHAY SMD | 893D225X050DTE3.pdf | |
![]() | 16212A | 16212A ORIGINAL SMD or Through Hole | 16212A.pdf | |
![]() | C0603Y5V333Z | C0603Y5V333Z -NF SMD or Through Hole | C0603Y5V333Z.pdf |