창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH5302DTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFH5302DPBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3635pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) 단일 다이 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001570962 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFH5302DTRPBF | |
관련 링크 | IRFH5302, IRFH5302DTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F24023CSR | 24MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24023CSR.pdf | |
![]() | RP73D1J205RBTG | RES SMD 205 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J205RBTG.pdf | |
![]() | GF06 | GF06 N/A MSOP8 | GF06.pdf | |
![]() | MVH16VC681MK14TP | MVH16VC681MK14TP NIPPON SMD or Through Hole | MVH16VC681MK14TP.pdf | |
![]() | BFS12 | BFS12 ORIGINAL CAN | BFS12.pdf | |
![]() | K3483 | K3483 ORIGINAL TO225 | K3483.pdf | |
![]() | K7B161825A-QC85ES | K7B161825A-QC85ES SAMSUNG QFP-100 | K7B161825A-QC85ES.pdf | |
![]() | P6KE250A-E3 | P6KE250A-E3 VISHAY SMD or Through Hole | P6KE250A-E3.pdf | |
![]() | WXW1-1A-2.2K | WXW1-1A-2.2K ORIGINAL SMD or Through Hole | WXW1-1A-2.2K.pdf | |
![]() | TAP106MO50SCS | TAP106MO50SCS AVX DIP | TAP106MO50SCS.pdf | |
![]() | S7157 | S7157 INTEL CDIP | S7157.pdf | |
![]() | 0744-0128F | 0744-0128F KG SMD | 0744-0128F.pdf |