창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFH5255TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFH5255PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRFH5255TR2PBF Saber Model IRFH5255TR2PBF Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Wafer Source Qualification 06/Oct/2014 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta), 51A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 988pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 3.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-VQFN | |
| 공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) 단일 다이 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | SP001560380 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFH5255TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFH525, IRFH5255TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMUPCFL-33-12.000MHZ-LY-E-T3 | 12MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCFL-33-12.000MHZ-LY-E-T3.pdf | |
![]() | CRHV2512AF27M0FKE5 | RES SMD 27M OHM 1% 1W 2512 | CRHV2512AF27M0FKE5.pdf | |
![]() | 887081-100 | 887081-100 AMP SMD or Through Hole | 887081-100.pdf | |
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![]() | V700ME01 | V700ME01 ORIGINAL SMD or Through Hole | V700ME01.pdf | |
![]() | HCF4014BE | HCF4014BE ST DIP | HCF4014BE.pdf | |
![]() | TN2SS | TN2SS NETD SMD or Through Hole | TN2SS.pdf | |
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![]() | GN2013A | GN2013A ORIGINAL QFN | GN2013A.pdf |