창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH4201TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFH4201PbF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | FastIRFET™ Power MOSFET | |
PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.95m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6100pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 3.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFH4201TRPBFTR SP001551886 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFH4201TRPBF | |
관련 링크 | IRFH420, IRFH4201TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CL10C1R2CB8NNND | 1.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C1R2CB8NNND.pdf | |
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![]() | CW0107R000KE123 | RES 7 OHM 13W 10% AXIAL | CW0107R000KE123.pdf | |
![]() | 24AD1PV0 | 24AD1PV0 ATL DIP | 24AD1PV0.pdf | |
![]() | LC3664ASL-12/K | LC3664ASL-12/K SANYO DIP | LC3664ASL-12/K.pdf | |
![]() | BYT30P-1400 | BYT30P-1400 ST TO-3P-2 | BYT30P-1400.pdf | |
![]() | 2SC2482(F) | 2SC2482(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC2482(F).pdf | |
![]() | RY633006 | RY633006 ORIGINAL DIP | RY633006.pdf | |
![]() | ELJRE1N5ZF2 = | ELJRE1N5ZF2 = ORIGINAL SMD or Through Hole | ELJRE1N5ZF2 =.pdf | |
![]() | MMVZ5234BGP | MMVZ5234BGP ORIGINAL SOD-123 | MMVZ5234BGP.pdf |