창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFDC20PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFDC20 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 320mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4옴 @ 190mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | *IRFDC20PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFDC20PBF | |
관련 링크 | IRFDC2, IRFDC20PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TNPW0805162KBETA | RES SMD 162K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805162KBETA.pdf | |
![]() | HRG3216P-7151-B-T1 | RES SMD 7.15K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-7151-B-T1.pdf | |
![]() | AD7894BR-3 | AD7894BR-3 AD SOP-8 | AD7894BR-3.pdf | |
![]() | DS0026CMA | DS0026CMA NSC SOP8 | DS0026CMA.pdf | |
![]() | BZG05C130-TR | BZG05C130-TR VISHAY DO-214AC | BZG05C130-TR.pdf | |
![]() | MMBZ6V8AL-F | MMBZ6V8AL-F Diodes SOT-23 | MMBZ6V8AL-F.pdf | |
![]() | P545A | P545A TYCO SMD or Through Hole | P545A.pdf | |
![]() | IT7603 | IT7603 ITE SMD or Through Hole | IT7603.pdf | |
![]() | BR1102W-181-TR | BR1102W-181-TR STANLEY SMD or Through Hole | BR1102W-181-TR.pdf | |
![]() | K4R881869M-NCK8 | K4R881869M-NCK8 SAMSUNG BGA | K4R881869M-NCK8.pdf | |
![]() | SVM7860CSH | SVM7860CSH M SMD or Through Hole | SVM7860CSH.pdf |