창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFD9010PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFD9010, SiHFD9010 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 580mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | *IRFD9010PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFD9010PBF | |
| 관련 링크 | IRFD90, IRFD9010PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | K5A6332CTM-D770 | K5A6332CTM-D770 SAMSUNG BGA | K5A6332CTM-D770.pdf | |
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![]() | EFGG052 | EFGG052 ST SOP | EFGG052.pdf | |
![]() | TMX320DM6467AZUT | TMX320DM6467AZUT TI BGA | TMX320DM6467AZUT.pdf | |
![]() | EKME800ELL100MHB5D | EKME800ELL100MHB5D NIPPONCHEMI-COM DIP | EKME800ELL100MHB5D.pdf | |
![]() | MAX2320EUP-TG068 | MAX2320EUP-TG068 MAX SMD or Through Hole | MAX2320EUP-TG068.pdf | |
![]() | NJC3463A10MHZ | NJC3463A10MHZ NDK STOCK | NJC3463A10MHZ.pdf |