창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFD210PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFD210 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 360mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | *IRFD210PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFD210PBF | |
| 관련 링크 | IRFD21, IRFD210PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | EET-HC2G271BF | 270µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 675 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | EET-HC2G271BF.pdf | |
![]() | MCR218-4G | THYRISTOR SCR 8A 200V TO220AB | MCR218-4G.pdf | |
![]() | AP160-33ERAL | AP160-33ERAL ANACHIP/DIODES SOT-223R | AP160-33ERAL.pdf | |
![]() | MB14F MB6F | MB14F MB6F TRR MINI | MB14F MB6F.pdf | |
![]() | DSEP2X101-04C | DSEP2X101-04C IXYS SMD or Through Hole | DSEP2X101-04C.pdf | |
![]() | WP90710L1 | WP90710L1 INERSIL DIP8 | WP90710L1.pdf | |
![]() | CPF32K2000FK | CPF32K2000FK K T-1 | CPF32K2000FK.pdf | |
![]() | RD5.6M-T1B / 563 | RD5.6M-T1B / 563 NEC SOT-23 | RD5.6M-T1B / 563.pdf | |
![]() | 6677B6-M6C | 6677B6-M6C SSS QFP | 6677B6-M6C.pdf | |
![]() | TMS320UC5409ZGUR80 | TMS320UC5409ZGUR80 TI UBGA | TMS320UC5409ZGUR80.pdf | |
![]() | CO66B | CO66B ORIGINAL DIP14 | CO66B.pdf |