창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFD123PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFD123 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 780mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | *IRFD123PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFD123PBF | |
| 관련 링크 | IRFD12, IRFD123PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1H8R7BA01D | 8.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H8R7BA01D.pdf | |
![]() | 7M-11.0592MAAE-T | 11.0592MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-11.0592MAAE-T.pdf | |
![]() | C513A-WSS-CV0Y0152 | White, Cool LED Indication - Discrete 3.2V Radial | C513A-WSS-CV0Y0152.pdf | |
![]() | CMF60998R00BEEB | RES 998 OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60998R00BEEB.pdf | |
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![]() | WM8510GEDS | WM8510GEDS WOLFSON SMD or Through Hole | WM8510GEDS.pdf | |
![]() | M46039 | M46039 TI DIP-28 | M46039.pdf | |
![]() | STK009 | STK009 SANYO SMD or Through Hole | STK009.pdf | |
![]() | PI3B16215A | PI3B16215A PERICOM TSSOP | PI3B16215A.pdf | |
![]() | WSLT-T-01A-19 | WSLT-T-01A-19 RIC SMD or Through Hole | WSLT-T-01A-19.pdf | |
![]() | J113-D26Z | J113-D26Z SCHAFFNER SMD or Through Hole | J113-D26Z.pdf |